题目性质:自编仿真题——题目、材料、选项、数据与情境均为按课程标准与联招常见考点独立编写的原创仿真题,非真题原文,未取自任何题库、教辅或试卷;解析与采分点为教研整理,非官方评分标准。
一、考点定位与做题顺序
霍尔元件是一片薄片:电流沿长度方向流,磁场垂直片面穿入,霍尔电压在宽度方向两侧量到。公式 U_H = R_H I B / d 里的 d 是沿磁场方向的厚度——片越薄,同样 B 下 U_H 越大。把 d 记成片宽或片长,结果会差一个数量级。
第二步看符号:载流子为电子(n 型)与为空穴(p 型)时,洛伦兹力方向相同但电荷符号相反,积累在两侧的电荷极性相反,U_H 反号。第三步做反向互验:B 反向,U_H 翻号、大小不变,可消掉不等势电势等固定偏置。下面数据为自编示意,不代表真实器件参数。
二、逐题精讲
题1
题1 由 U_H 求 B 与几何量判定
自编元件:矩形薄片,电流沿长度方向 I = 2.00 mA,磁场垂直片面、大小待测,沿磁场方向的厚度 d = 0.200 mm;片长 8.00 mm、片宽 4.00 mm(均不进入 U_H 公式的 d)。载流子浓度 n = 5.00×10²² m⁻³,电荷量大小 q = 1.602×10⁻¹⁹ C。测得霍尔电压 U_H = 0.3745 mV。
(1) 写出霍尔系数 R_H 与 U_H 的表达式,说明为什么 d 取 0.200 mm 而不是 8.00 mm 或 4.00 mm。(2) 求 R_H 与磁感应强度 B。(3) 若把 d 误取为片宽 4.00 mm,算出的 B 变为多少?偏大还是偏小?
解析
(1) 霍尔系数 R_H = 1/(n q),霍尔电压 U_H = R_H I B / d。d 取 0.200 mm = 2.00×10⁻⁴ m 的原因:推导里电流密度 j = I/(宽 × d),洛伦兹力与电场平衡给出 E_H = vB,而 U_H = E_H × 宽,联立后宽度约掉、只剩沿 B 方向的厚度 d 在分母。片长只决定电流路径与电阻,不进入 U_H;片宽在推导中约掉。故 8.00 mm 与 4.00 mm 都不是 d。
(2) R_H = 1/(5.00×10²² × 1.602×10⁻¹⁹) = 1/8010 = 1.2484×10⁻⁴ m³/C。
由 U_H = R_H I B / d 得
B = U_H d /(R_H I) = (3.745×10⁻⁴ V × 2.00×10⁻⁴ m) / (1.2484×10⁻⁴ × 2.00×10⁻³ A)
分子 = 7.490×10⁻⁸;分母 = 2.4968×10⁻⁷;
B = 7.490×10⁻⁸ / 2.4968×10⁻⁷ = 0.300 T。
正向回代:U_H = 1.2484×10⁻⁴ × 2.00×10⁻³ × 0.300 / 2.00×10⁻⁴ = 1.2484×10⁻⁴ × 3.00 = 3.745×10⁻⁴ V = 0.3745 mV ✓ 与题给一致。
(3) 若 d′ = 4.00 mm = 4.00×10⁻³ m(是真实 d 的 20 倍),则
B′ = 0.300 × (4.00/0.200) = 6.00 T。
因为 B = U_H d/(R_H I) 与 d 成正比,d 记大 → B 偏大 20 倍。这与 00329 电流天平里「B 与 L 成反比」方向相反:两式的 d/L 分别落在分子与分母上,判误差方向必须先看量在哪一侧,不能背结论。
答案 (1) R_H=1/(nq),U_H=R_H·IB/d;d 为沿 B 方向厚度(推导中片宽约掉、片长不进入)。(2) R_H=1.2484×10⁻⁴ m³/C,B=0.300 T。(3) d 取 4.00 mm 得 B=6.00 T,偏大 20 倍。
采分点 写出 R_H=1/(nq) 1 分;写出 U_H=R_H·IB/d 1 分;说明片宽在推导中约掉 1 分;说明片长不进入公式 1 分;R_H=1.2484×10⁻⁴ 1 分;单位换算 d=2.00×10⁻⁴ m 1 分;B=0.300 T 1 分;d 记大→B 偏大 20 倍并指出与电流天平方向不同 1 分。
易错点 把 0.3745 mV 当成 0.3745 V;把 n 的单位 m⁻³ 与 cm⁻³ 混用;把片宽当 d;套 B=U_H/(R_H I d) 把 d 放到分母;直接背「记大偏小」而不看 d 在分子。
题2
题2 反向互验、载流子符号与偏置消除
沿用题1元件与 B = 0.300 T。保持 I 不变,把磁场反向,测得 U_H′ = −0.3745 mV;另在不加磁场时测到两侧存在一个固定的不等势电势 U₀ = +0.0200 mV。
(1) 说明反向后 U_H 翻号而大小不变的原因,并用两次读数给出消去 U₀后的净霍尔电压。(2) 若只做一次测量而不反磁场,测得值中会混入什么? B 会被算成多少?(3) 若换用空穴导电的 p 型薄片(同 n、同 |q|、同 I、同 B),U_H 的符号与大小如何变化?
解析
(1) U_H ∝ B(且 ∝ I·B 的方向积)。B 反向使洛伦兹力方向翻转,两侧积累的电荷极性对调,故 U_H′ = −U_H,大小不变。实际测量值是霍尔电压与固定偏置之和:
正磁场:U₊ = U_H + U₀ = 0.3745 + 0.0200 = 0.3945 mV;
反磁场:U₋ = −U_H + U₀ = −0.3745 + 0.0200 = −0.3545 mV。
半差法:(U₊ − U₋)/2 = (0.3945 − (−0.3545))/2 = 0.7490/2 = 0.3745 mV,U₀ 被相消;半和法:(U₊ + U₋)/2 = 0.0400/2 = 0.0200 mV 正好还原偏置。
用净 U_H = 0.3745 mV 回算 B 仍为 0.300 T ✓。
(2) 只测一次,读数里会混入 U₀ = +0.0200 mV 这个不随磁场反向的固定偏置(来源:两霍尔电极未严格等势、接触电势、温差电势等)。若直接拿 0.3945 mV 当 U_H,
B_wrong = 0.300 × (0.3945/0.3745) = 0.316 T,偏大约 +5.34%。单靠一次测量无法自察,这正是反向互验的价值。
(3) 洛伦兹力 F = q v × B 中 q 由 −e 变为 +e(且漂移速度方向随载流子类型相应改变),两侧积累电荷的极性整体对调,故 U_H 反号;因 n、|q|、I、B、d 全同,|R_H| = 1/(n|q|) 不变,大小仍为 0.3745 mV。
所以符号判类型、大小测 B:n 型(电子)与 p 型(空穴)在同向 I、B 下给出相反极性的 U_H。这也解释了为什么公式常写 R_H = 1/(nq) 而 q 带符号——把 q 的正负保留,U_H 的符号就自动跟着走。
答案 (1) U_H∝B,反向翻号大小不变;U₊=0.3945、U₋=−0.3545 mV,半差得净 0.3745 mV、半和还原 U₀=0.0200 mV,B 仍 0.300 T。(2) 混入固定不等势电势 U₀,单次得 B≈0.316 T,偏大约 5.34%。(3) p 型 U_H 反号、大小不变(|R_H| 同)。
采分点 说明 U_H∝B 故翻号 1 分;写出 U₊/U₋ 两式 1 分;半差消去 U₀ 得 0.3745 mV 1 分;半和还原 0.0200 mV 1 分;回算 B=0.300 T 1 分;单次混入 U₀ 1 分;B≈0.316 T 与 +5.34% 1 分;p 型反号、大小不变并点明符号判类型 1 分。
易错点 把反向后 U_H′ 直接当成净霍尔电压,漏加 U₀;用 (U₊+U₋)/2 当霍尔电压(那是偏置);把偏置说成随 B 反向也翻号;以为换 p 型后 |U_H| 也变;把半差与半和的作用写反。
三、规律小结与对照表
| 环节 | 关系式 | 本元件数值 | 要点 | 误差方向 |
|---|---|---|---|---|
| 霍尔系数 | R_H=1/(nq) | 1.2484×10⁻⁴ m³/C | q 带符号 | 用 cm⁻³ 差 10⁶ 倍 |
| 几何量 | U_H=R_H·IB/d | d=2.00×10⁻⁴ m | 片宽约掉、片长不进入 | 取片宽→B 偏大 20 倍 |
| 测 B | B=U_H·d/(R_H·I) | 0.300 T | d 在分子 | d 记大→B 偏大 |
| 反向互验 | U₊−U₋=2U_H | 0.7490 mV → 净 0.3745 mV | 半差消固定偏置 | 把半和当 U_H |
| 偏置 | U₀=(U₊+U₋)/2 | 0.0200 mV | 单次混入,无法自察 | 单次 B 偏大 5.34% |
| 载流子 | q 的符号→U_H 极性 | n 型 / p 型反号 | 符号判类型,大小测 B | 以为 |U_H| 也变 |
| 对比 | 00329:B∝1/L | — | 先看量在分子还是分母 | 别背「记大偏小」 |
霍尔法测 B 只抓三件事:d 是沿磁场的厚度(片宽在推导里约掉、片长不进入)、U_H = R_H·IB/d、反向磁场做半差互验。半差 (U₊−U₋)/2 消掉不等势电势这类固定偏置,半和则把它还原出来;只测一次会把偏置算进 B,本题就偏大 5.34%。U_H 的符号判载流子类型、大小测 B。最后记一条与 00329 的对照:那里 B∝1/L(分母记大偏小),这里 B∝d(分子记大偏大),判误差方向先看量在哪一侧。本题电流、磁场、厚度、浓度与电压均为自编示意数据,不代表任何真实器件参数。
四、自测清单
- □ 先确认 d 是沿 B 方向的厚度,片宽片长不代入;
- □ 浓度用 m⁻³、电压用 V、厚度用 m 再代公式;
- □ R_H 里 q 保留符号,便于判载流子类型;
- □ 正反磁场各测一次,用半差消偏置、半和还原偏置;
- □ 回代 U_H=R_H·IB/d 验 B;
- □ 判误差方向先看该量落在分子还是分母。