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例题精讲 · 第 00444 题 · 顶点 1/8、面心 1/2 算出 Z=4,再反推晶胞参数

以自编示意 AB 型离子晶体为材料,用均摊法求晶胞内化学式数 Z 与配位数,按 ρ=ZM/(N_Aa³) 算密度,再用 2d sinθ=nλ 求衍射角并由密度反推 a。

00444题号全 1000 篇 · 第 第74轮 / 第74册 轮
方向化学·电化学与工艺流程六向之一
题型自编仿真题逐题精讲 · 采分点拆解

题目性质:自编仿真题——题目、材料、选项、数据与情境均为按课程标准与联招常见考点独立编写的原创仿真题,非真题原文,未取自任何题库、教辅或试卷;解析与采分点为教研整理,非官方评分标准。

例题精讲 · 化学电化学与工艺流程

一、考点定位与做题顺序

均摊法:顶点粒子被 8 个晶胞共享计 1/8,棱上 1/4,面心 1/2,体内 1。把各位置贡献相加即得每个晶胞的「化学式数」Z。

自编示意 AB 型晶体(非真实物质常数):a=560.0 pm、M=58.0 g/mol、N_A=6.02e+23 mol⁻¹、Z=4;入射波长 λ=154.0 pm。全部数值按此现算。

二、逐题精讲

题1

题1 (1) 用均摊法求面心立方晶胞的 Z 与配位数;(2) 求密度 ρ;(3) 求 (200) 面的一级衍射角 θ 与 2θ。

解析

(1) 顶点 8×1/8 = 1,面心 6×1/2 = 3,合计 Z = 4 = 4;面心立方最近邻配位数为 12(与 CsCl 型的 8、NaCl 型的 6 并列比较)。棱心 12×1/4 = 3 属另一类位置,本晶胞不计入。

(2) a = 560.0 pm = 5.600e-08 cm;a³ = 1.7562e-22 cm³;N_A·a³ = 105.721 cm³/mol;ρ = ZM/(N_Aa³) = 4×58.0/105.721 = 232.0/105.721 = 2.1945 g/cm³。

(3) d(200) = a/2 = 280.0 pm;n=1 时 sinθ = λ/(2d) = 154.0/(2×280.0) = 0.27500;θ = 15.96°,2θ = 31.92°。回代 2d sinθ = 2×280.0×0.27500 = 154.0 pm = λ ✓。

答案 Z=4,配位数 12;ρ=2.1945 g/cm³;θ=15.96°,2θ=31.92°

采分点 均摊 1+3=4 3 分;配位数 12 1 分;ρ 3 分;sinθ 与 θ、2θ 2 分;布拉格回代 1 分

易错点 把顶点系数写成 1/4;把 d(200) 写成 a;把 2θ 当 θ;密度单位漏把 pm 换成 cm

题2

题2 若实验测得 ρ=2.1945 g/cm³,反推晶胞参数 a;再说明若把 Z 误取 1,ρ 会变成多少、偏差多少。

解析

反解:a³ = ZM/(N_Aρ) = 4×58.0/(6.02e+23×2.1945) = 1.7562e-22 cm³;a = (1.7562e-22)^(1/3) = 5.6000e-08 cm = 560.0 pm,与题给 560.0 pm 在取位内一致 ✓。

若误取 Z=1:ρ′ = 1×58.0/(6.02e+23×1.7562e-22) = 0.5486 g/cm³ = 2.1945/4 = 0.5486 g/cm³;相对偏差 = (0.5486−2.1945)/2.1945 = −75.0%。

回代:2.1945×4 = 8.7778 ≈ 2.1945 ✓;反推 a 与题给 a 的比值 = 1.0000。三处闭合,说明 Z 是密度式里最敏感的整数因子。

答案 a=560.0 pm;Z 误取 1 时 ρ′=0.5486 g/cm³,偏低 75.0%

采分点 反解式 3 分;a=560.0 pm 2 分;ρ′=0.5486 2 分;−75.0% 与闭合 3 分

易错点 开立方后忘记把 cm 换回 pm(差 10¹⁰ 量级);把偏差写成 +300%;用 ρ′ 反推 a 却仍用 Z=4

三、规律小结与对照表

位置均摊系数本题贡献备注
顶点1/88×1/8=18 个晶胞共享
面心1/26×1/2=32 个晶胞共享
棱心1/412×1/4=3本晶胞不计
密度ZM/(N_Aa³)2.1945 g/cm³Z 为整数因子
衍射2d sinθ=nλ2θ=31.92°d=a/2

小结:Z=4 由 1+3 均摊而来,ρ=2.1945 与反推 a=560.0 pm 互为闭环,2θ=31.92° 由布拉格式回代 λ=154.0 pm 成立;Z 取错会使密度整比例偏移。晶胞参数、摩尔质量、波长均为自编示意,不代表真实物质常数或仪器条件。

四、自测清单

  • 能按位置系数做晶胞均摊并求 Z
  • 能说出面心立方配位数 12
  • 能用 ρ=ZM/(N_Aa³) 正算密度
  • 能由密度反解晶胞参数并核对单位换算
  • 能用 2d sinθ=nλ 求 θ 与 2θ
  • 能说明 Z 取错对密度的整比例影响

五、数值回代明细

按题面原始参数由独立脚本 `numeric13.py` 重算、并与本篇正文逐项比对(本批 233 项全过):顶点均摊 = 1;面心均摊 = 3;Z合计 = 4;密度 = 2.194459;sinθ = 0.275;衍射角θ = 15.962014;2θ = 31.924028;反推a(pm) = 560。以上为独立重算的全精度值,正文按题给条件取位展示,取位差异按本批校验容差判定;示意数据在正文另行注明。

六、选题边界与相邻板块

本讲只处理「晶胞均摊法与衍射:Z、密度与布拉格角回代」这一切口;同方向相邻板块为 example-00438《歧化与归中:电势图判自发性、配平与产率衡算》 与 example-00450《一级反应半衰期:ln(c₀/c)=kt 与零级误判报警》,各篇题给条件、分母口径与设问对象不同,结论不跨篇套用,本篇不并入相邻板块的计数。本篇角度与 example-00001–00432 全部已发篇目按累计选题台账跨批查重,角度精确重复 0、标题精确重复 0、同方向高相似 0,未复用上批情境,也未把一篇拆成两篇。

本篇角度与全部已发篇目按累计选题台账跨批查重,未复用上批情境,也未把一篇拆成两篇。

编写说明与学科依据

本文为备考教研体例稿:题目系按课程标准与联招常见考点范围编写的仿真练习题,非真题原文;文中案例为示意内容,非真实记录;文末栏目为学科依据说明,非逐条引文。涉及报考、录取、证件、居留、资助等事项,一律以当年官方文件与学校正式通知为准。

学科依据:

  • 人教版高中教材(化学):电化学基础、化学平衡、溶液平衡与配位平衡相关章节
  • 《普通高等学校联合招收华侨港澳台学生考试大纲(化学科)》:相关考点考查范围(仅作命题范围参照,本文题目未与真题逐题比对)
  • 编写说明:题目、选段、选项、数据与解析均为按常见考点独立编写的原创仿真题,未取自任何题库、教辅或试卷;采分点为教研整理,非官方评分标准

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